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High-k gate dielectrics for CMOS technology / edited by Gang He and Zhaoqi Sun
Tipo de material:
TextoEditor: Weinheim : Wiley-VCH, 2012Descripción: 558 páginas : ilustracionesTipo de contenido: texto Tipo de medio: sin medio Tipo de portador: volumenISBN: 9783527330324Tema(s): Dieléctricos | Semiconductores complementarios de óxido metálicoClasificación CDD: 537/.24 Clasificación LoC:QC585 | H54
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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Libros Libros | Coleccion General | QC585 H54 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 4511 | ||
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Libros Libros | Coleccion General | QC585 H54 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 4811 |
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| QC585 D54 Dielectrics / | QC585 F78 Theory of dielectrics : Dielectric constant and dielectric loss. | QC585 H54 High-k gate dielectrics for CMOS technology / | QC585 H54 High-k gate dielectrics for CMOS technology / | QC585 M43 Mechanic and dielectric properties / | QC595.5 P54 Piezoelectricity / | QC596 A76 2002 Fundamental physics of ferroelectrics 2002 : Washington, DC, 3-6 February 2002 / |
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